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赛道存储器何时走出实验室?

时间:2010-12-5 17:23:32  作者:双手同步开关   来源:晶体管可以当开  查看:  评论:0
内容摘要:  就如同姓名所隐喻的速度感,赛道回忆体(Racetrack)在功用体现上有许多许诺,但该技能却一向还没走出IBM的实验室。  赛道回忆体是一种非挥发性回忆体,又称为磁畴壁回忆体(


    就如同姓名所隐喻的速度感,赛道回忆体(Racetrack)在功用体现上有许多许诺,但该技能却一向还没走出 IBM 的实验室。

  赛道回忆体是一种非挥发性回忆体,又称为磁畴壁回忆体(domain-wall memory,DWM),运用自旋同调(spin-coherent)电流沿着约200奈米长、100奈米厚的奈米高导磁合金(nanoscopic permalloy)线移动磁畴;当电流通过线路时,磁畴通过附近的磁性读写头,藉由磁畴的改变来记载位元。

  IBM院士暨IBM旗下Almaden研讨中心磁性电子学研讨小组司理Stuart Parkin (博士),一起也是IBM-史丹佛大学自旋电子科学与运用中心(IBM–Stanford Spintronic Science and Applications Center)总监,自2002年就着手进行赛道回忆体技能的研制。

  Parkin表明,IBM在2008年现已开宣布3位元版别的赛道回忆体,两年前也有第一颗选用90奈米CMOS制程的整合式赛道回忆体原型诞生,能履行读/写与移动磁畴的功用:“咱们基本上现已证明其根底概念是可行的,并且打造出了原型。”。

  而Parkin走漏,在曩昔的三年内现已有一个在赛道回忆体中移动磁性资讯的全新机制被开宣布来:“这十分令人兴奋,由于那比咱们第一次开宣布来的移动磁畴壁办法更有功率,而基本原理是相同的。”。

  他解说,新机制不同之处在于磁化作用是与赛道回忆体笔直,而非在其平面产生:“这种机制能把磁畴壁做得更小;”乃至可小50倍,因而回忆体内的磁畴壁能被严密组合在一起,在相同的电流下移动速度更高。

  有分析师将赛道回忆体视为替代硬碟机以及固态硬碟的潜力贮存技能,但Parkin以为赛道回忆体还有更广泛的运用,除了替代硬碟也能替代DRAM等一般回忆体:“它是十分文武双全的,比起贮存元件(storage device)该技能其实更倾向是回忆体(memory),也有人叫它回忆体贮存元件(memory storage device)。”他表明,一般说来赛道回忆体能让体系更精简、功耗更低。

  尽管Parkin着重赛道回忆体技能是“回忆体”、非“贮存技能”,商场研讨机构Gartner分析师Brady Wang表明,该技能有替代硬碟机与NAND快闪回忆体的潜力,优势之一是能处理固态硬碟常见的电流走漏与运用极限等常见问题,供给更佳的耐久性以及更好的可扩充性。

  Wang也表明,现在要评价赛道回忆体技能的商用成功性还太早,但假如该技能证明可行并能走出实验室,将带来比现有回忆体技能更高的速度与贮存容量。

  另一家商场研讨机构Objective Analysis的负责人Jim Handy则表明,赛道回忆体在未来的确有跃升干流技能的潜力,但问题是还要多久?“该技能在本钱上能与其他回忆体技能竞赛吗?”他表明,赛道回忆体技能的一个优势或许在于其制程技能不至于像3D NAND那么杂乱,但还有其他许多新式回忆体技能也在研制中,有的乃至可追溯至1980年代,赛道回忆体恐怕还得等上好一段日子才干见到天日。

  Parkin表明,现阶段赛道回忆体需求出资工程技能与整合制程,以打造新一代笔直式磁化机制的原型,如此才干达到容量密度的终极目标。

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